там видимо из соображений экономии эти транзисторы стоят т.к. мощность потребляемая остановленным двигателем явно больше 2 ватт
почитаю еще всякого..
Критически важные распределенные системы требуют синхронного преобразования во всех подсистемах и непрерывного потока данных. Распределенные системы сбора данных могут быть синхронизированы как на основе АЦП последовательного приближения, так и на основе сигма-дельта (∑-Δ)-АЦП. Новый подход, основанный на преобразователе частоты дискретизации (SRC), содержащемся в микросхемах линейки AD7770 производства Analog Devices, позволяет достигать синхронизации в системах на основе сигма-дельта-АЦП без прерывания потока данных.
_________________ Всё можно наладить,если вертеть в руках достаточно долго!
Специалисты компании Infineon рассказывают о сорокалетней истории технологических инноваций, последовавшей за созданием первого полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), и на примере последних новшеств, касающихся расположения кристалла относительно печатной платы, показывают, как незначительные на первый взгляд изменения способны кардинально поменять характеристики прибора и разрабатываемых на его основе систем.
Транзистор S8050 — биполярным, высокочастотный с NPN структурой общего назначения. Чаще всего используется для усиления звука, широко применяется во многих схемах, например для коммутации.
Распиновка транзистора S8050
S8050 состоит из следующих трех контактов:
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга.
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Проверка и безопасное использование
Будьте внимательными в использовании транзисторов этой серии, при покупке S8050 убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Очень редко, но встречаются данные транзисторы с PNP проводимостью. Так, компания Wing Shing Computer Components выпускает его с PNP проводимостью.
S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).
Корпус и цоколевка
Предназначение
Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C
Характеристика
Обозначение
Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В
VCBO
40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В
VCEO
25
Напряжение эмиттер – база транзистора, В
VEBO
6
Ток коллектора, А
IC
1,5
Рассеиваемая мощность, Вт
PC
1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С
Tj
150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°
Tstg
-65…+150
Электрические параметры (при Ta = 25°C)
Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения
Ток коллектора выключения, мкА
ICBO
UCB = 35 В В, IE = 0
≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА
IEBO
UEB = 6 В, IC = 0
≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, В
UCBO
IC = 100 мкА, IE = 0
≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В
UCEO
IC = 2 мА, IB = 0
≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, В
UEBO
IE = 100 мкА, IC = 0
≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
UCE(sat)
IC = 0,8 А, IB = 0,08 А
≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
UBE(sat)
IC = 0,8 А, IB = 0,08 А
≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току
hFE (1)
UCE = 1 В, IC = 0,005 мА
135
hFE (2)
UCE = 1 В, IC = 0,1 мА
160
hFE (3)
UCE = 1 В, IC = 0,8 мА
110
Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,05 мА
190
Выходная емкость, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц
9
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.
Классификация
B
C
D
hFE (2)
85…160
120…200
160…300
Модификации и маркировка транзистора S8050
Модель
PC
UCB
UCE
UBE
IC
TJ
fT
Cob
hFE
Корпус
Маркировка
S8050A
0,625
40
25
6
0,8
150
100
9
85
TO-92
—
GS8050T
0,625
40
25
6
0,8
150
100
9
45
TO-92
—
GSTSS8050
1
40
25
5
1,5
150
100
—
85
TO-92
—
MPS8050
0,625
40
25
6
1,5
150
190
9
85
TO-92
—
S8050A/B/C/D/G
0,625
40
25
6
0,8/0,5
150
100/150
9
TO-92
—
S8050T
0,625
40
25
6
0,5
150
150
—
85
TO-92
—
SPS8050
0,625
15
12
6,5
1,5
150
260
5
200
TO-92
—
SS8050/C/D/G
1
40
25
5
1,5
150
100
—
TO-92
—
SS8050T
1
40
25
5
1,5
150
100
—
85
TO-92
—
STS8050
0,625
30
25
6
0,8
150
120
19
85
TO-92
—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L
0,2
40
25
5
1,5
150
100
15
Y1
S8050W
0,25
40
25
6
0,8
150
100
9
85
Y1
SS8050W
0,2
40
25
5
1,5
150
100
—
120
Y1
GSTSS8050LT1
0,225
40
25
5
1,5
150
100
—
100
SOT-23
1HA
MMSS8050-L/H
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
SOT-23
Y1
MPS8050S
0,35
40
25
6
1,5
150
190
—
85
SOT-23
—
MPS8050SC
0,35
40
25
5
1,2
150
150
—
SOT-23
—
MS8050-H/L
0,2
40
25
6
0,8
150
150
—
SOT-23
Y11
S8050
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
120
SOT-23
—
S8050M-/B/C/D
0,45
40
25
6
0,8
150
100
9
SOT-23
HY3B/C/D
SS8050LT1
0,225
40
25
5
1,5
150
150
—
120
SOT-23
KEY
KST8050D
0,25
50
50
6
1,2
150
100
—
SOT-23
Y1C, Y1D
KST8050M
0,3
40
25
6
0,8
150
150
—
SOT-23
Y11
KST8050X
0,3
40
20
5
1,5
150
100
20
SOT-23
Y1+
KST9013
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
SOT-23
J3
KST9013C
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
SOT-23
J3Y
S8050LT1
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
120
SOT-23
J3Y
MMS8050-L/H
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
SOT-23
J3Y
DMBT8050
0,3
40
25
5
0,8
150
100
—
120
SOT-23
J3Y
KST8050S
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
SOT-23
J3Y
KTD1304S
0,2
25
20
12
0,3
150
50
10
SOT-23
J3Y
KTD1304
0,2
25
20
12
0,3
150
60
—
SOT-23
J3Y или MAX
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
Модель
PC Ta = 25°C
UCB
UCE
UBE
IC
TJ
fT
Cob
hFE
Корпус
S8050A
0,625
40
25
6
0,8
150
100
9
85
TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г
1
40
25
6
0,1
150
100
1,7
45…630
TO-92
КТ6114 А/Б/В
0,45
50
45
5
0,1
150
150
3,5
60…1000
TO-92
КТ968 В
4
300
200
5
0,1
150
90
2,8
35…220
TO-39
Зарубежное производство
Модель
PC
UCB
UCE
UBE
IC
TJ
fT
Cob
hFE
Корпус
S8050A
0,625
40
25
6
0,8
150
100
9
85
TO-92
3DG8050A
0,625
40
25
6
0,8
150
100
9
85
TO-92
BC517S
0,625
40
30
10
1
150
200
—
33000
TO-92
BTN8050A3
0,625
40
25
6
1,5
150
100
6
160
TO-92
BTN8050BA3
0,625
40
25
6
1,5
150
100
—
160
TO-92
CX908B/C/D
0,625
40
25
6
1
150
100
—
120…260
TO-92
KTC3203
0,625
—
30
—
0,8
150
190
—
100
TO-92
KTC3211
0,625
40
25
6
1,5
150
190
9
85
TO-92
KTS8050
0,625
—
25
—
0,8
175
—
—
100
TO-92
M8050-C/D
0,625
40
25
6
—
150
150
—
120…160
TO-92
S8050
0,3
409
25
5
0,5
150
150
—
120
SOT-23
8050HQLT1
0,3
40
25
5
1,5
150
—
—
150
SOT-23
8050QLT1
0,3
40
25
5
0,8
150
—
—
150
SOT-23
8050SLT1
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
120
SOT-23
CHT9013GP
0,3
45
25
5
0,5
150
150
—
120
SOT-23
F8050HPLG
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
120
SOT-23
KTC9013SC
0,35
40
30
5
0,5
150
150
—
200
SOT-23
MMBT8050D
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
200
SOT-23
MMS9013-H/L
0,3
40
25
5
0,5
150
150
—
200
SOT-23
NSS40201L
0,54
40
25
—
4
150
150
—
120
SOT-23
NSS40201LT1G
0,54
40
40
6
2
—
150
—
200
SOT-23
NSV40201LT1G
0,54
40
40
6
2
150
150
—
200
SOT-23
PBSS4140T
0,3
40
40
5
1
150
150
—
300
SOT-23
S9013
0,3
40
25
5
0,8
150
150
—
120
SOT-23
ZXTN2040F
0,35
—
40
—
1
—
150
—
300
SOT-23
ZXTN25040DFL
0,35
—
40
—
1,5
—
190
—
300
SOT-23
ZXTN649F
0,5
—
25
—
3
—
—
—
200
SOT-23
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора IC) от входного напряжения (управления) база-эмиттер UBE.
Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер UCE = 1 В.
Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 10.
Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора fT при возрастании коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.
Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) Cob от приложенного напряжения коллектор-база UCB при непроводящей коллекторной цепи IE = 0.
