Чем можно заменить 13009

Транзистор 13009 чем заменить

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Распиновка

Распространены в пластмассовом корпусе для силовых транзисторов ТО-220 и различных его модификациях (ТО-220AB, TO-220-3), или более мощных TO-3PN, ТО-225, ТО-247. Считается, что современный TO-3PN лучше отводит тепло при нагреве устройства и действительно в большинстве случаев именно он встречаются в мощных блоках питания (1 КВт и больше). Цоколевка 13009 у большинства производителей одинаковая, если смотреть на транзистор спереди, то его выводы слева на право такие:

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_{BE sat}):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_{BE sat}):

Символ R_θ используется в технической литературе для обозначения теплового сопротивления радоэлементов.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Комплементарная пара

Комплементарная пара отсутствует.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.

Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Замена и эквиваленты

Для 13009 можно подобрать замену из зарубежных транзисторов похожих по своим характеристикам: D209L, 2SC2335, BUT12A, BUJ106A или отечественного КТ8138И, КТ8209А, КТ8260А. Они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства, поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Полными аналогами 13009, но с немного заниженными характеристиками являются mje13005, mje13007, mje13008. Они чаще всего встречаются в корпусе ТО-220.

Особенности

13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.

Безопасность при эксплуатации

Максимальное рабочее напряжение, которое может выдержать транзистор (U_КЭ) должно быть не более 400 В, при I_К = 10 мA. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер (U_КЭВ) при запирающем напряжении в цепи база-эммитер (U_БЭ) не должно быть больше 700 В.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Высказывания:
Во время пьянки мы чувствуем себя личностью. Наутро – организмом.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009
транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346;
транзистором 2SC3306;
транзистором 2SC2898;
транзистором 2SC3257;
транзистором BUL74A;
транзистором BUW72;
транзистором 2SC3346;
транзистором 2SC3306;
транзистором 2SC2898;
транзистором 2SC3257;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-02-14 22:21:29

дата записи: 2016-02-23 16:11:18

дата записи: 2016-02-23 16:13:10

дата записи: 2016-10-12 13:39:27

MJE13005 – функциональный аналог;
дата записи: 2017-11-01 08:40:54

2SC3040 – функциональный аналог;
дата записи: 2018-07-06 22:01:53

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13009? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания
Транзисторы
Детали

Источник

Транзистор 13009 чем заменить

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Распиновка

Распространены в пластмассовом корпусе для силовых транзисторов ТО-220 и различных его модификациях (ТО-220AB, TO-220-3), или более мощных TO-3PN, ТО-225, ТО-247. Считается, что современный TO-3PN лучше отводит тепло при нагреве устройства и действительно в большинстве случаев именно он встречаются в мощных блоках питания (1 КВт и больше). Цоколевка 13009 у большинства производителей одинаковая, если смотреть на транзистор спереди, то его выводы слева на право такие:

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_{BE sat}):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_{BE sat}):

Символ R_θ используется в технической литературе для обозначения теплового сопротивления радоэлементов.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Комплементарная пара

Комплементарная пара отсутствует.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.

Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Замена и эквиваленты

Для 13009 можно подобрать замену из зарубежных транзисторов похожих по своим характеристикам: D209L, 2SC2335, BUT12A, BUJ106A или отечественного КТ8138И, КТ8209А, КТ8260А. Они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства, поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Полными аналогами 13009, но с немного заниженными характеристиками являются mje13005, mje13007, mje13008. Они чаще всего встречаются в корпусе ТО-220.

Особенности

13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.

Безопасность при эксплуатации

Максимальное рабочее напряжение, которое может выдержать транзистор (U_КЭ) должно быть не более 400 В, при I_К = 10 мA. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер (U_КЭВ) при запирающем напряжении в цепи база-эммитер (U_БЭ) не должно быть больше 700 В.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Высказывания:
Во время пьянки мы чувствуем себя личностью. Наутро – организмом.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009
транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346;
транзистором 2SC3306;
транзистором 2SC2898;
транзистором 2SC3257;
транзистором BUL74A;
транзистором BUW72;
транзистором 2SC3346;
транзистором 2SC3306;
транзистором 2SC2898;
транзистором 2SC3257;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-02-14 22:21:29

дата записи: 2016-02-23 16:11:18

дата записи: 2016-02-23 16:13:10

дата записи: 2016-10-12 13:39:27

MJE13005 – функциональный аналог;
дата записи: 2017-11-01 08:40:54

2SC3040 – функциональный аналог;
дата записи: 2018-07-06 22:01:53

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13009? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания
Транзисторы
Детали

Источник

Транзистор 13009

13009 — кремниевый, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S), TO3P, TO247.

Основная информация представленна для модели FJP13009. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Предназначение

Транзистор разработан для использования в электронных схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, схемах управления электродвигателями и реле, систем развертки ТВ-приемников.

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Классификация по величине h_FE

Модификации (версии) транзистора 13009

Данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (t_s, t_f) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) при различных величинах коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при соотношении токов I_C/I_B = 3.

Рис. 3. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время задержки t_D и время нарастания t_R.

t_D + t_R = t_on – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

U_BE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 4. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время сохранения импульса t_s (t_stg) и время спадания импульса t_f.

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 5. Изменение емкости коллекторного перехода C_ob транзистора при обратном напряжении коллектор-база U_CB.

Рис. 6. Необходимое уменьшение величины предельной рассеиваемой мощности P_C при увеличении температуры корпуса транзистора T_c.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

Величина индуктивности коллекторной цепи L = 1 мГн.

Характеристики снимаются при температурах внешней среды Ta ≤ 100°C. Величина температуры не оказывает существенного влияния на ход характеристики.

Источник