Чем можно заменить гд507

Тема: Замена диода ГД507А

Обратные ссылки

Опции темы

Это верно, ибо детектирует ВЧ даже непянное соединение двух проводов, даже двух медных (окислившихся). Вопрос только в эффективности детектирования. :-))

Оять же, ВСЕ диоды по своей сути варикапы (в обратном включении). Вопрос только в пределах изменения емкости и добротности перехода. :-))

Ну а если бы автор вопроса сообщил еще и частоту, на которой он хочет измерять напряженность.

Ну так скажем 88-108 FM

Возвращаясь к предыдущей ссылке , идём на ваттметр
http://cs.okanagan.bc.ca/ve7ouc/eng/. wattmeter.html
Диод 1N34A заменяется на Д2 (до 150 МГц, их можно ещё найти), Д18, остальное по тексту, мощность резистора 50 ом, само собой, не меньше мощности вашей «шарманки».
Заметим, это уже не измеритель напряжённости поля, который вовсе необязательно подключать к выходу, а измеритель мощности, который наоборот, измеряет мощность на эквиваленте нагрузки, подключенном на выход передатчика, ещё известен как «dummy load»

На этих частотах можно сделать и настоящий измеритель напряженности поля.

А про замену диода надо различать два понятия: «работает» и «хорошо работает». Я бы заменял либо на Д18, либо на Д311. Типа Д2 или Д9 (по моим измерениях) уже теряют на этих частотах, но, безусловно, работают и подходят для относительных измерений.

Еще вопросик: делятся ли по какому-нибудь кретерию сердечники для катушек?

Ох! Лучше бы там не приводили машинный перевод!

» подключаете щуп (или антенну, можно телескоп, выдвигая и вдвигая коленца, можно «регулировать» чувствительность). Другой вывод «

Чушь, скажете? Описание было где-то в «Радио» оччень давно, в действии видел я этот ВЧ-щуп где-то в 1972-1973-м годах.

Источник

Рекомендации по возможной замене элементов

Хотя при подготовке сборника были специально отобраны схемы, использующие самые распространенные, широко доступ­ные и дешевые элементы, не лишним будет указать порядок использования и других элементов, равноценно или с большим успехом заменяющие отсутствующие.

При замене одного элемента на другой рекомендуется в первую очередь использовать справочную литературу. В кратком приложении при всем желании невозможно перечислить все воз­можные варианты замен элементов, ведь только одних наимено­ваний полупроводниковых диодов насчитывается не один десяток. Тем не менее, можно дать общий подход по возможному использо­ванию одних элементов устройств вместо других.

Начнем с полупроводниковых диодов. Условно все исполь­зуемые в сборнике полупроводниковые диоды разделены на гер­маниевые маломощные высокочастотные (диоды типа Д9Б — Д9Ж), кремниевые импульсные (высокочастотные) маломощ­ные — КД503А и кремниевые (низкочастотные) — КД102А (Б). Буква в суффиксе (конце) обозначения элемента (А, Б, В и т.д.) означает вариант базовой модели, в чем-то отличающийся от остальных.

В зарубежных изданиях часто диоды общего назначения обозначают единым образом: это универсальные германиевые или кремниевые диоды низкочастотные или высокочастотные. Если только в схеме не оговорены специальные требования к диодам, минимальные требования для них таковы:

Высокочастотные диоды германиевые или кремниевые — с максимальным обратным напряжением не ниже 30 В (примени­тельно к схемам сборника — даже 15 В), прямым током не менее 10 мА. Рабочая частота — не ниже нескольких МГц.

Германиевые диоды высокочастотные: Д9Б — Д9Ж; ГД402 (1Д402); ГД507; ГД508\ ГД511 и другие.

Кремниевые диоды импульсные: КД503 (2Д503); КД504\ КД509 — КД512] КД514; КД520 — КД522 и другие.

Низкочастотные (силовые) диоды — с максимальным об­ратным напряжением не ниже 300 В, прямым током не менее 100 мА. Рабочая частота — не ниже нескольких кГц.

Кремниевые низкочастотные диоды: КД102 — КД105\ Д226 и другие с рабочим напряжением, не ниже напряжения, исполь­зуемого в конкретной схеме.

Разумеется, полупроводниковые приборы, имеющие более высокие показатели, и, зачастую, более дорогие (рассчитанные на больший рабочий ток, более высокую предельную частоту, большее обратное напряжение и т.д.) с успехом могут заменить рекомендуемый сборником диод, диод устаревшей модели.

При замене стабилитронов в первую очередь следует об­ращать внимание на напряжение стабилизации. Во всех схемах сборника используются преимущественно стабилитроны малой мощности. В настоящее время доступен большой ассортимент разнообразных стабилитронов, которые зачастую взаимозаме- нимы без всяких оговорок. Как уже говорилось в одном из раз­делов книги, см. главу 1, стабилитрон на любое повышенное или нестандартное напряжение можно составить из последова­тельного включенных других стабилитронов, либо их сочетания с цепочкой прямосмещенных германиевых и (или) кремниевых диодов.

Вопросы полноценной замены полупроводниковых прибо­ров рассмотрены также в главе 1.

При замене транзисторов следует руководствоваться сле­дующим. Для этих приборов также существует разделение на транзисторы кремниевые, германиевые, низкочастотные, высо­кочастотные, мощные, маломощные и т.д.

В настоящем сборнике чаще всего представлены самые распространенные транзисторы, выпускаемые промышленно­стью свыше 30 лет, это КТ315 — кремниевые маломощные вы­сокочастотные структуры п-р-п. Их структурные антонимы — КТ361. Из числа мощных кремниевых транзисторов это КТ805 структуры п-р-п; германиевых маломощных высокочастотных — ГТ311 (1Т311) п-р-п и их антонимы структуры р-п-р — ГТ313 (1Т313). Основные характеристики этих транзисторов приведе­ны выше.

У всех этих транзисторов, разумеется, существует боль­шой выбор равноценных и родственных дублирующих полупро­водниковых приборов, порой отличающихся от прототипа только названием.

Основные критерии замены таковы: предельное рабочее напряжение на коллекторе транзистора, предельный ток коллек­тора, предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе, пре­дельная рабочая частота, коэффициент передачи по току. Реже для схем, представленных в сборнике, значимыми являются ве­личина остаточного напряжения коллектор — эмиттер, шумовые характеристики транзистора.

При замене одного транзистора на другой ни один из этих параметров не должен быть занижен, ухудшен. В то же время, по сравнению с довольно древними моделями транзисторов, совре­менные их разновидности автоматически и эволюционно вобрали в себя заведомо улучшенные, по сравнению с их дальними пред­ками, свойства.

Так, например, транзисторы типа КТ315 можно заменять бо­лее совершенными, имеющими заведомо лучшие характеристики транзисторами типа КТ3102 (малошумящие высокочастотные кремниевые транзисторы), КТ645 (более мощные малогабарит­ные высокочастотные транзисторы) и т.д.

Транзисторы КТ361 могут быть заменены транзисторами типа КТ3107 (малошумящие высокочастотные кремниевые тран­зисторы) или другими, аналогичными.

Мощные транзисторы типа КТ805 (2Т805), используемые в схемах сборника преимущественно в выходных каскадах УНЧ и стабилизаторах напряжения, могут быть без ущерба для работы схем заменены аналогами, транзисторами серии КТвхх (2Т8хх) структуры п-р-п, где хх — порядковый номер разработки. Исклю­чением из этого ряда являются транзисторы КТ809, КТ812, КТ826, КТ828, КТ838, КТ839, КТ846, КТ856 и т.п.

Следует отметить, что если в процессе работы транзи­стор заметно нагревается, значит его режим работы выбран неверно, использованы резисторы других номиналов, имеется ошибка в монтаже. Если работа транзистора при повышенном токе коллектора предусмотрена условиями работы конкретной схемы, и транзистор заметно нагревается, стоит подумать о замене этого элемента на более мощный или принять меры по его охлаждению. Обычно простой радиатор или исполь­зование вентилятора позволяет в 10… 15 раз повысить до­пустимую рассеиваемую на полупроводниковом элементе (транзисторе или диоде) мощность.

Иногда один мощный полупроводниковый прибор (диод или транзистор) можно заменить маломощными приборами, включен­ными параллельно. Однако при таком включении необходимо учитывать следующее. Поскольку при изготовлении полупровод­никовых приборов даже одной партии выпуска свойства их замет­но разнятся, при простом параллельном включении нагрузка на них может распределиться крайне неравномерно, что вызовет по­очередное выгорание этих приборов. Для равномерного распре­деления токов в параллельно включенных диодах и транзисторах последовательно с диодом или в цепь эмиттера транзистора еле дует включать резистор сопротивлением от нескольких до десят ков Ом.

В случае необходимости применения полупроводникового диода, рассчитанного на повышенное напряжение, замену мож­но произвести путем последовательного включения нескольких однотипных диодов, рассчитанных на низкое напряжение. Как и ранее, для обеспечения равномерного распределения обратно­го, наиболее опасного для работы сборки диодов напряжения, параллельно каждому из диодов сборки следует включить рези­стор сопротивлением от нескольких сотен кОм до единиц МОм. Разумеется, известны схемы подобного включения и для тран­зисторов, однако используют их редко. Во всяком случае, для схем, представленных в сборнике, таких замен не потребуется, поскольку все схемы рассчитаны, преимущественно, на низко­вольтное питание.

При замене полевых транзисторов дело обстоит значи­тельно сложнее. Хотя сами полевые транзисторы появились на страницах журналов и книг довольно давно, ассортимент их не столь представителен, а разброс параметров выражен в большей мере. Особенно сложной может оказаться замена полевых транзисторов зарубежного производства. Что же ка­сается схем сборника, то, как это было сказано ранее, в нем использованы только самые доступные элементы, в том числе и полевые транзисторы.

В приводимых на страницах сборника схемах неоднократ­но встречается использование телефонных капсюлей по не­сколько непривычному назначению — одновременно в качестве низкочастотных колебательных контуров и звукоизлучателей. В основном, в качестве таких телефонных капсюлей использованы стандартные и широко распространенные изделия. Это теле­фонный капсюль типа ТК-67, применяющийся в телефонных ап­паратах отечественного производства, и наушник типа ТМ-2 (ТМ-4), обычно используемый в аппаратах для слабослышащих. Разумеется, эти телефонные капсюли могут быть заменены дру­гими отечественными или зарубежными, имеющими близкие свойства, однако, в ряде случаев, возможно, потребуется под­бор емкости конденсатора (например, если на этом телефонном капсюле выполнен низкочастотный резонансный колебательный контур).

Источник

Рекомендации по возможной замене элементов

Описание и применение диода 1n4007

В даташите этого элемента указано, что он является выпрямительным маломощным кремниевым диодом, который производится в корпусе из негорючего пластика (тип D0-41). Конструкция, цоколевка и типовые размеры устройства приведены ниже.

Конструкция полупроводникового элемента

Допустимые отклонения в размерах приведены в таблице:

Эти полупроводники также выпускаются в стандартном smd-корпусе (тип D0-214), что делает возможным их использование в миниатюрных электронных устройствах.

1N4007 (M7) в SMD исполнении (катод отмечен полоской на корпусе)

Типовые размеры в миллиметрах для элементов SMD исполнения приведены ниже.

Размеры корпуса D0-214

Основное назначение устройства – преобразование переменного напряжение с рабочей частотой не более 70 Гц. Данный вид кремневых полупроводниковых элементов применяется в цепях и блоках питания различных электронных приборов малой и средней мощности.

Рекомендации по возможной замене элементов

Хотя при подготовке сборника были специально отобраны схемы, использующие самые распространенные, широко доступ­ные и дешевые элементы, не лишним будет указать порядок использования и других элементов, равноценно или с большим успехом заменяющие отсутствующие.

При замене одного элемента на другой рекомендуется в первую очередь использовать справочную литературу. В кратком приложении при всем желании невозможно перечислить все воз­можные варианты замен элементов, ведь только одних наимено­ваний полупроводниковых диодов насчитывается не один десяток. Тем не менее, можно дать общий подход по возможному использо­ванию одних элементов устройств вместо других.

Начнем с полупроводниковых диодов. Условно все исполь­зуемые в сборнике полупроводниковые диоды разделены на гер­маниевые маломощные высокочастотные (диоды типа Д9Б — Д9Ж), кремниевые импульсные (высокочастотные) маломощ­ные — КД503А и кремниевые (низкочастотные) — КД102А (Б). Буква в суффиксе (конце) обозначения элемента (А, Б, В и т.д.) означает вариант базовой модели, в чем-то отличающийся от остальных.

В зарубежных изданиях часто диоды общего назначения обозначают единым образом: это универсальные германиевые или кремниевые диоды низкочастотные или высокочастотные. Если только в схеме не оговорены специальные требования к диодам, минимальные требования для них таковы:

Высокочастотные диоды германиевые или кремниевые — с максимальным обратным напряжением не ниже 30 В (примени­тельно к схемам сборника — даже 15 В), прямым током не менее 10 мА. Рабочая частота — не ниже нескольких МГц.

Германиевые диоды высокочастотные: Д9Б — Д9Ж; ГД402 (1Д402); ГД507; ГД508\ ГД511

Кремниевые диоды импульсные: КД503 (2Д503); КД504\ КД509 — КД512] КД514; КД520 — КД522 и другие.

Низкочастотные (силовые) диоды — с максимальным об­ратным напряжением не ниже 300 В, прямым током не менее 100 мА. Рабочая частота — не ниже нескольких кГц.

Кремниевые низкочастотные диоды: КД102 — КД105\ Д226 и другие с рабочим напряжением, не ниже напряжения, исполь­зуемого в конкретной схеме.

Разумеется, полупроводниковые приборы, имеющие более высокие показатели, и, зачастую, более дорогие (рассчитанные на больший рабочий ток, более высокую предельную частоту, большее обратное напряжение и т.д.) с успехом могут заменить рекомендуемый сборником диод, диод устаревшей модели.

При замене стабилитронов в первую очередь следует об­ращать внимание на напряжение стабилизации. Во всех схемах сборника используются преимущественно стабилитроны малой мощности. В настоящее время доступен большой ассортимент разнообразных стабилитронов, которые зачастую взаимозаме- нимы без всяких оговорок. Как уже говорилось в одном из раз­делов книги, см. главу 1, стабилитрон на любое повышенное или нестандартное напряжение можно составить из последова­тельного включенных других стабилитронов, либо их сочетания с цепочкой прямосмещенных германиевых и (или) кремниевых диодов.

Вопросы полноценной замены полупроводниковых прибо­ров рассмотрены также в главе 1.

При замене транзисторов следует руководствоваться сле­дующим. Для этих приборов также существует разделение на транзисторы кремниевые, германиевые, низкочастотные, высо­кочастотные, мощные, маломощные и т.д.

В настоящем сборнике чаще всего представлены самые распространенные транзисторы, выпускаемые промышленно­стью свыше 30 лет, это КТ315 — кремниевые маломощные вы­сокочастотные структуры п-р-п. Их структурные антонимы — КТ361. Из числа мощных кремниевых транзисторов это КТ805 структуры п-р-п; германиевых маломощных высокочастотных — ГТ311 (1Т311) п-р-п и их антонимы структуры р-п-р — ГТ313 (1Т313). Основные характеристики этих транзисторов приведе­ны выше.

У всех этих транзисторов, разумеется, существует боль­шой выбор равноценных и родственных дублирующих полупро­водниковых приборов, порой отличающихся от прототипа только названием.

Основные критерии замены таковы: предельное рабочее напряжение на коллекторе транзистора, предельный ток коллек­тора, предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе, пре­дельная рабочая частота, коэффициент передачи по току. Реже для схем, представленных в сборнике, значимыми являются ве­личина остаточного напряжения коллектор — эмиттер, шумовые характеристики транзистора.

При замене одного транзистора на другой ни один из этих параметров не должен быть занижен, ухудшен. В то же время, по сравнению с довольно древними моделями транзисторов, совре­менные их разновидности автоматически и эволюционно вобрали в себя заведомо улучшенные, по сравнению с их дальними пред­ками, свойства.

Так, например, транзисторы типа КТ315 можно заменять бо­лее совершенными, имеющими заведомо лучшие характеристики транзисторами типа КТ3102 (малошумящие высокочастотные кремниевые транзисторы), КТ645 (более мощные малогабарит­ные высокочастотные транзисторы) и т.д.

Транзисторы КТ361 могут быть заменены транзисторами типа КТ3107 (малошумящие высокочастотные кремниевые тран­зисторы) или другими, аналогичными.

Мощные транзисторы типа КТ805 (2Т805), используемые в схемах сборника преимущественно в выходных каскадах УНЧ и стабилизаторах напряжения, могут быть без ущерба для работы схем заменены аналогами, транзисторами серии КТвхх (2Т8хх) структуры п-р-п, где хх — порядковый номер разработки. Исклю­чением из этого ряда являются транзисторы КТ809, КТ812, КТ826, КТ828, КТ838, КТ839, КТ846, КТ856 и т.п.

Следует отметить, что если в процессе работы транзи­стор заметно нагревается, значит его режим работы выбран неверно, использованы резисторы других номиналов, имеется ошибка в монтаже. Если работа транзистора при повышенном токе коллектора предусмотрена условиями работы конкретной схемы, и транзистор заметно нагревается, стоит подумать о замене этого элемента на более мощный или принять меры по его охлаждению. Обычно простой радиатор или исполь­зование вентилятора позволяет в 10… 15 раз повысить до­пустимую рассеиваемую на полупроводниковом элементе (транзисторе или диоде) мощность.

Иногда один мощный полупроводниковый прибор (диод или транзистор) можно заменить маломощными приборами, включен­ными параллельно. Однако при таком включении необходимо учитывать следующее. Поскольку при изготовлении полупровод­никовых приборов даже одной партии выпуска свойства их замет­но разнятся, при простом параллельном включении нагрузка на них может распределиться крайне неравномерно, что вызовет по­очередное выгорание этих приборов. Для равномерного распре­деления токов в параллельно включенных диодах и транзисторах последовательно с диодом или в цепь эмиттера транзистора еле дует включать резистор сопротивлением от нескольких до десят ков Ом.

В случае необходимости применения полупроводникового диода, рассчитанного на повышенное напряжение, замену мож­но произвести путем последовательного включения нескольких однотипных диодов, рассчитанных на низкое напряжение. Как и ранее, для обеспечения равномерного распределения обратно­го, наиболее опасного для работы сборки диодов напряжения, параллельно каждому из диодов сборки следует включить рези­стор сопротивлением от нескольких сотен кОм до единиц МОм. Разумеется, известны схемы подобного включения и для тран­зисторов, однако используют их редко. Во всяком случае, для схем, представленных в сборнике, таких замен не потребуется, поскольку все схемы рассчитаны, преимущественно, на низко­вольтное питание.

При замене полевых транзисторов дело обстоит значи­тельно сложнее. Хотя сами полевые транзисторы появились на страницах журналов и книг довольно давно, ассортимент их не столь представителен, а разброс параметров выражен в большей мере. Особенно сложной может оказаться замена полевых транзисторов зарубежного производства. Что же ка­сается схем сборника, то, как это было сказано ранее, в нем использованы только самые доступные элементы, в том числе и полевые транзисторы.

В приводимых на страницах сборника схемах неоднократ­но встречается использование телефонных капсюлей по не­сколько непривычному назначению — одновременно в качестве низкочастотных колебательных контуров и звукоизлучателей. В основном, в качестве таких телефонных капсюлей использованы стандартные и широко распространенные изделия. Это теле­фонный капсюль типа ТК-67, применяющийся в телефонных ап­паратах отечественного производства, и наушник типа ТМ-2 (ТМ-4), обычно используемый в аппаратах для слабослышащих. Разумеется, эти телефонные капсюли могут быть заменены дру­гими отечественными или зарубежными, имеющими близкие свойства, однако, в ряде случаев, возможно, потребуется под­бор емкости конденсатора (например, если на этом телефонном капсюле выполнен низкочастотный резонансный колебательный контур).

Похожие посты:

Монтаж

Для установки элементов в корпусе D0-41 используется выводная схема монтажа, при этом допускается как горизонтальное, так и вертикальное положение детали (относительно печатной платы). Пайка должна производится «мягким» (низкотемпературным) припоем с точкой плавления менее 210-220°С, например, ПОС-61. Процесс должен занимать не более 10 секунд, чтобы не допустить перегрев элемента.

Заметим, что в даташите указана пороговая температура 260°С, но, как показывает практика, в данном случае лучше перестраховаться, чем испортить деталь и тратить время на ее выпаивание обратно.

Диоды в корпусе D0-215, как и все SMD элементы, устанавливаются по методике поверхностного монтажа, с применением для этой цели специальной паяльной пасты.

Какие светодиоды выбрать для подсветки панели приборов

Для подсвечивания показаний в комбинации приборов Гранты или Калины используются зеленые светодиоды SMD-3528. Вместо них можно использовать SMD светодиоды разной яркости. Вот наиболее часто используемые:

Цифры после SMD означают соотношение ширины и длины, например, светодиод SMD 3528 имеет размеры 3,5мм на 2,8мм. Купить все необходимое можно на AliExpress (см. каталог).

Примерная разница в яркости светодиодов показана на фото:

Обратите внимание, что используя для подсветки панели приборов сильно яркие светодиоды, чтение показаний в темное время суток может быть не комфортным (будут слепить). В этом случае уменьшить яркость можно при помощи тонировки приборной панели пленкой (светопропускаемость подбираем по вкусу). Мы рекомендуем использовать для тюнинга щитка приборов SMD светодиоды со световым потоком до 5 Люмен.

Технические характеристики in4007

Перечислим основные параметры для всей серии (информация взята с официального даташита производителя). Начнем с VRM (reverse voltage max) — допустимой величины обратного напряжения 1n400x (здесь и далее последняя цифра модели соответствует порядковому номеру в списке):

Допустимое RMS (среднеквадратическая величина):

Пиковое значение Vdc:

Другие технические параметры:

Маркировка диода in4007

Начнем с расшифровки для деталей в корпусе DO-41. Варианты нанесенных на него обозначений приводятся на рисунке.

Значимые элементы маркировки

Расшифровка:

Поскольку SMD корпус имеет небольшой размер, то если нанести на него полное наименование модели, распознать надпись невооруженным глазом будет затруднительно. Поэтому название кодируется в соответствии с таблицей.

Таблица маркировки для smd-диодов серии 1N400x.

Замена

Несмотря на распространенность данной модели, может возникнуть ситуация, при которой нужного диода не окажется в домашнем запаснике. В таком случае следует прибегнуть к поиску альтернативы. С этим не будет проблем, поскольку есть компоненты, полностью совместимые или близкие по характеристикам.

Отечественные аналоги 1n4007

Идеальный вариант для замены – КД 258Д, его характеристики практически идентичны импортной модели, а по некоторым параметрам он даже превосходит ее.

Предназначение дополнительной подсветки

Дополнительная подсветка приборной панели предназначена для:

Установка диодной лампочки в приборку

Если вы хотите, чтобы подсветка приборов была наиболее эффективной, то лучшим вариантом будет установка светодиодов, в данном случае у вас есть несколько вариантов:

Как проверить 1N4007?

С проверкой данного полупроводникового компонента проблем не возникнет, он тестируется так же, как и обычные диоды. Для этого процесса нам понадобится только мультиметр или омметр.

Расскажем пошаговый алгоритм тестирования:

Режим для проверки диодов отмечен синим квадратом

Этих действий вполне достаточно для определения работоспособности полупроводниковых диодов этой серии.

Выбрать подходящий полупроводник для того или иного механизма порой бывает весьма затруднительно. Чтобы лучше ориентироваться в названиях диодов и легче их запоминать, необходимо знать, что любое название является составным и включает в себя 4 части.

Первая часть — число, либо литера, обозначающая использованный при изготовлении материал:

1 (Г) — соединения с включениями германия.

2 (К) — соединения с включениями кремния.

3 (А) — арсенид галлия, а также другие соединения с включениями галлия.

Вторая часть — указание на подклассовую принадлежность прибора:

А — сверхвысокочастотные диоды;

И — диоды туннельные и обращённые.

Третья часть — число, демонстрирующее назначение и качества конструкции.

Четвёртая часть — номер приведённой модели.

Конечно данные расшифровки актуальны только в отношении продукции отечественного производителя, однако общий смысл построения названий диодов в зарубежной практике может быть схож.

Далее будут представлены на рассмотрения по 2 диода средней и малой мощности.

Диод N4007

Кремниевый диод малой мощности в пластиковом корпусе модели DO-41.

Весьма часто применяется, чтобы сформировать блок питания (как компонент выпрямителя, включающего в себя 4 диода). Как и прочие модели, предназначен для преобразования характера напряжения (был переменным, становится постоянным). Выпускаются диоды подобного образца преимущественно в Тайване компаниями DIODES и RECTRON SEMICONDACTOR. В иных зарубежных странах изготовители тоже есть, но объём поставок от них невелик.

Массово применяется в телефонах, смартфонах, планшетных компьютерах.

Для самых недорогих маломощных (до 1 Ватта) устройств достаточно всего одного такого диода (вместо моста из 4-х). Чтобы легче ориентироваться при установке, на покрытии имеется выделенное цветном кольцо, обозначающее расположение катодного вывода.

Длина вывода на каждой стороне диода достаточна как для горизонтального расположения, так и для вертикальной установки. Имеет низкую себестоимость. Почти все полупроводники серии 1N4001 — 1N4007 возможно заменить на 1N4007 при необходимости. Мажет применяться в радиоаппаратуре вместо варикапа.

Постоянное обратное напряжение (max.) — 1000 В

Что необходимо для работы

Чтобы отпаять от алюминиевой платы светодиоды, требуется:

Если паяльник стандартный, делается насадка на жало из медной проволоки.

Внимание! Для прогрева платы можно использовать строительный фен, компактную газовую горелку или турбозажигалку. При установке нового диода допускается использование клей-пасты, проводящей ток.

Диод КД202в

Другая кодировка — 2Д202в. Относится к диодам средней мощности. Применяется для преобразования тока из переменного в постоянный при частоте не более 5 кГц. Достаточно недорогой, однако во избежание порчи нового полупроводника при установке в конструкцию теплоотвода или шасси, необходимо удерживать его ключом у основания. Предписанную силу осуществляемой затяжки (1,47 Н*м) запрещается превышать. Помимо этого запрещено осуществлять по отношению к изолированному выводу воздействие более 0,98 Н, это может вызвать разрушение и поломку выполненной из стекла защитной оболочки.

Содержит золото — 0,00053 грамм.

Допустимое обратное напряжение (max.) — 70 В

Импульсное напряжение (max.) — 100 В

Обратный ток — 5 А

Импульсный ток — 9 А

Рабочая частота диода (max.) — 1,2 кГц

t° корпуса диода — 75°C

Вес — 4,62 г

Аналоги: 1N4724 Это основные данные по приведённым моделям кремниевых диодов. Они помогут с поиском необходимого устройства или позволят подобрать подходящий аналог.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Характеристики диодов 1n4007, д242, д226, кд202в : 4 комментария

В справочнике за 76 г. указано:КД-202А 3 А,КД-202Б 1 А,КД-202 В 3 А,КД-202 Г 1 А и так далее

Обратный ток 5 Ампер?

«Массово применяется в … смартфонах, планшетных компьютерах.» Такой смартфон в карман не влезет

Источник