Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945

Π₯арактСристики транзистора C945

Как написано Π² тСхничСских характСристиках транзистора C945 (2SC945) – это ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ΅, высокочастотноС, биполярноС устройство, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ n-p-n структуру. ΠžΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡΡ ΠΊ срСднСй мощности. ΠœΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ усилитСли, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ элСктроника.

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ 2SC945 Π² корпусС для Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° ВО-92 ΠΈ для повСрхностного ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° SOT-23. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ располоТСны Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ порядкС, Ссли ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ слСва Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ Π±Π°Π·Π°. Но Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΡŽΠΆΠ½ΠΎΠΊΠΎΡ€Π΅ΠΉΡΠΊΠ°Ρ компания Kwang Myoung установила Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ порядок слСдования Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ: эмиттСр, Π±Π°Π·Π°, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ установкой C945 рСкомСндуСтся Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ производитСля Ρƒ вас транзистор. Компании ΠΏΡ€ΠΈ нанСсСнии ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π½Π° ВО-92 часто ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π΄Π²Π° символа ΠΈ получаСтся C945. На ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ΅ SOT-23 имССтся надпись CR.

ВСхничСскиС характСристики

РассмотрСниС тСхничСских характСристик Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‘ΠΌ с максимально допустимых ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Они Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ссли ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ эти значСния, Ρ‚ΠΎ транзистор Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя. Π˜Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 25Β°Π‘. Для 2SC945 ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹:

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ рассмотрим элСктричСскиС характСристики, ΠΎΡ‚ Π½ΠΈΡ… Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ зависят возмоТности транзистора. Π˜Ρ… измСрСния ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 25Β°Π‘. ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… зависят Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ измСрСния, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉΠΉ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½ΠΊΠ΅ «Условия тСстирования»

ЭлСктричСскиС характСристики транзистора BC547 (ΠΏΡ€ΠΈ Π’ = +25 ΠΎ C)
ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹Π£ΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ Ρ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡΠΌΠΈΠ½Ρ‚ΠΈΠΏΠΌΠ°Ρ…Π•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ
НапряТСниС пробоя К β€” Π‘IК = 100 ΠΌΠΊA, IΠ­ = 0BVCBO60Π’
НапряТСниС пробоя К β€” Π­IК = 1,0 mA, IΠ‘ = 0BVCΠ•O50Π’
НапряТСниС пробоя К β€” Π­IΠ­ = 10 ΠΌΠΊA, IК = 0BVΠ•BO5Π’
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°Uкэ=50Π’, UΠΊΠ±=0Π’ICBO0,1мкА
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСраUΠΊΠ± = 5Π’, Uэб=0Π’ICBO0,1мкА
БтатичСский ΠΊ-Ρ‚ усилСнияIК = 0,1 ΠΌA, Uкэ = 6Π’hFE150
IК = 1 ΠΌA, Uкэ = 6Π’hFE2135600
НапряТСниС насыщСния К β€” Π­IК=100ΠΌA, IΠ‘=10ΠΌAVCE(sat)0,10,3Π’
Π‘ –Э напряТСниС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡIК=2.0ΠΌA, Uкэ=5BUбэ(Π²ΠΊΠ»)0,550,7Π’
IК=10ΠΌA, Uкэ=5B0,77Π’
Граничная частота ΠΊ-Ρ‚Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Uкэ=6B, IК=10ΠΌA,

f=100ΠœΠ“Ρ†

fΠ³Ρ€.150600ΠœΠ“Ρ†
Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒUΠΊΠ±=10Π’, IΠ­=0, f=1ΠœΠ“Ρ†Π‘Π²Ρ‹Ρ…1,74,5ΠΏΠ€
Входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒUΠΊΠ±=10Π’, IК=0, f=1ΠœΠ“Ρ†Π‘Π²Ρ…4ΠΏΠ€

Π’ зависимости ΠΎΡ‚ значСния ΠΊ-Ρ‚Π° усилСния hFE Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ свои транзисторы ΠΏΠΎ-Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ дСлят ΠΈΡ… Π½Π° Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ части:

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ дСлят Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ части:

Вранзисторы Π² корпусС SOT-23, ΠΏΠΎ ΠΊ-Ρ‚Ρƒ hFE, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Π΄Π²Π΅ части:

ΠŸΠ°ΡΡ‚ΡŒ 2SC945 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ 5 ΠΌΠΌ ΠΎΡ‚ транзистора ΠΈ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 3 с. ΠŸΡ€ΠΈ этом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° паяльника Π½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ +260Β°Π‘.

Аналоги

Из Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² для c945 Π½Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‘ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅: 2SC1000

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ отСчСствСнныС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ, это: КВ3102А, КВ3102Π‘ ΠΈ КВ3102Π”. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠΉ для Π½Π΅Π³ΠΎ являСтся транзистор A733.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ 2SC945 (datasheet ΡΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ½ΡƒΠ² ΠΏΠΎ названию) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘ΠΌ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ:

Π’ отСчСствСнных ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π°Ρ… Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ издСлия ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ: Dc Components, NEC.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Вранзистор Π‘945

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора Π‘945 Π² Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, Π² соотвСтствии с Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ†Π΅Π»ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ самого элСмСнта.

ЗначСния напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды +25Β°C.

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Π΄.ΠΈΠ·ΠΌ.
VCBOНапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°60Π’
VCEOНапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр50Π’
VEBOНапряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π°5Π’
ICΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°150мА
PCΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния400ΠΌΠ’Ρ‚
TJМаксимальная рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°125Β°C
TstgΠ˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€-55…125Β°C

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

ЗначСния напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды +25Β°C.

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π£ΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ измСрСнияВСличинаЕд. ΠΈΠ·ΠΌ.
V(BR)CBOНапряТСниС пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°IC=1ΠΌA, IE=060Π’
V(BR)CΠ•OНапряТСниС пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрIC=100ΠΌΠΊA, IΠ’=050Π’
V(BR)Π•BOНапряТСниС пробоя эмиттСр-Π±Π°Π·Π°IΠ•=1ΠΌΠΊA, IΠ‘=05Π’
ICBOΠ’ΠΎΠΊ отсСчки ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°VCB=60Π’, IE=00,1мкА
ICΠ•OΠ’ΠΎΠΊ отсСчки ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°VCΠ•=45Π’, IE=00,1мкА
IΠ•Π’ΠžΠ’ΠΎΠΊ отсСчки эмиттСраVΠ•Π’=45Π’, IΠ‘=00,1мкА
hFE(1)ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒVCE=6Π’, IC=1ΠΌA70…700
hFE(2)VCE=6Π’, IC=0.1ΠΌA40
VCE(sat)НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрIC=100ΠΌA, IB=10ΠΌA0,3Π’
VBE(sat)НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСрIC=100ΠΌA, IB=10ΠΌA1Π’
fTГраничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°VCE=6Π’, IC=10mA, f=30ΠœΠ“Ρ†200ΠœΠ“Ρ†
CobВыходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°VCB=10Π’, IE=0, f=1ΠœΠ“Ρ†3ΠΏΠ€
NFΠ£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°VCE=6Π’, IC=0.1мА
RG=10кОм, f=1ΠœΠ“Ρ†
10dB

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠΎ коэффициСнту усилСния hFE(1)

ΠœΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ транзистора

Π’ΠΈΠΏPcUcbUceUebTjCcIchfeftΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ
C9450.2 W60 V50 V5 V150 Β°C3 pf0.15 A130150 MHzSOT23
2SC9450.25 W50 V40 V5 V125 Β°C0.1 A75125 MHzTO-92
STC9450.5 W50 V40 V5 V150 Β°C2 pf0.15 A7080 MHzTO-92
2PC9450.5 W60 V50 V5 V150 Β°C4 pf0.1 A50150 MHzSOT54, TO-92, SC43
2SC945-GR0.4 W60 V50 V5 V150 Β°C0.15 A200150 MHzTO-92
2SC945-Y0.4 W60 V50 V5 V150 Β°C0.15 A120150 MHzTO-92
2SC945L0.25 W50 V40 V5 V125 Β°C0.1 A75125 MHzTO-92
2SC945O0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C2.5 pf0.15 A70300 MHzTO-92
2SC945P0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C2.5 pf0.15 A200300 MHzTO-92
2SC945R0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C2.5 pf0.15 A40300 MHzTO-92
2SC945T0.25 W50 V40 V5 V125 Β°C0.1 A75125 MHzTO-92
2SC945Y0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C2.5 pf0.15 A120300 MHzTO-92
BTC945A30.625 W60 V50 V5 V150 Β°C9 pf0.2 A135150 MHzTO-92
C945LT10.2 W60 V50 V5 V150 Β°C0.15 A40150 MHzSOT23
C945T0.4 W60 V50 V5 V125 Β°C3 pf0.15 A70200 MHzTO-92
CSC9450.25 W60 V45 V5 V125 Β°C4 pf0.1 A50150 MHzTO-92
CSC945K0.25 W60 V45 V5 V125 Β°C4 pf0.1 A50150 MHzTO-92
CSC945P0.25 W60 V45 V5 V125 Β°C4 pf0.1 A50150 MHzTO-92
CSC945Q0.25 W60 V45 V5 V125 Β°C4 pf0.1 A50150 MHzTO-92
CSC945R0.25 W60 V45 V5 V125 Β°C4 pf0.1 A50150 MHzTO-92
FPC9450.25 W50 V40 V175 Β°C5 pf0.1 A200250 MHzTO-92
FTC945B0.4 W60 V50 V5 V125 Β°C3 pf0.15 A70200 MHzTO-92
HSC9450.25 W60 V50 V5 V150 Β°C4 pf0.1 A135150 MHzTO-92
KSC9450.25 W60 V50 V5 V150 Β°C3.5 pf0.15 A40300 MHzTO-92
KSC945G0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C3.5 pf0.15 A200300 MHzTO-92
KSC945L0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C3.5 pf0.15 A350300 MHzTO-92
KSC945O0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C3.5 pf0.15 A70300 MHzTO-92
KSC945R0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C3.5 pf0.15 A40300 MHzTO-92
KSC945Y0.25 W60 V50 V5 V150 Β°C3.5 pf0.15 A120300 MHzTO-92
KTC9450.625 W60 V50 V5 V150 Β°C2 pf0.15 A90300 MHzTO-92
KTC945B0.625 W60 V50 V5 V150 Β°C2 pf0.15 A70300 MHzTO-92

ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ позиция Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅, – транзистор Π‘945, для ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ.

АналогVCEOICPChFEfT
C945500,150,470200
ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ производство
КВ3102450,10,25250300
Π˜ΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚
KSC945500,150,2540300
2N2222300,80,5100250
2N3904400,20,3140300
2SC3198500,150,420130
2SC1815500,150,47080
2SC2002600,30,39070
2SC3114500,150,455100
2SC3331500,20,5100200
2SC2960500,150,25100100

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ пСрСчня Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² транзистор КВ3102 отличаСтся ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, поэтому Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ для Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Π‘945. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅ΠΌ вашС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»Π°, – ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π½Π° 30%. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ использованиСм КВ3102 ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ мощностныС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π΅ΠΌΡƒ прСдстоит Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ взяты ΠΈΠ· Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΠΏ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ-ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ эксплуатационныС характСристики

Рис.1 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC) ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (UCE).

Рис.2 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния (hFE) ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC).

Рис.3 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр (UBEsat) ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC).

Рис.4 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (UCEsat)ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Рис.5 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (fT) ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC).

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: ΠΏΠΎ тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π₯арактСристики транзистора c945

C945 – биполярный, высокочастотный, ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ, n-p-n транзистор срСднСй рассСиваСмой мощности. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ коммСрчСских элСктронных схСмах. ΠŸΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… устройствах срСднСй ΠΈ высокой частоты.

Распиновка транзистора C945

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡΡ Π² корпусах Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ВО-92, SOT-23 ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°:

Π’ΠΈΠ΄ Π² корпусС ВО-92

Π£ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства другая Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° ВО-92. НапримСр, Ρƒ Kwang Myoung 1 – эммитСр, 2 – Π±Π°Π·Π°, 3 – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

Π’Π°ΠΊ выглядит Π² корпусС SOT-23

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики

Π£ транзисторов сСрии C945 прСдставлСны Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды +25 Β°C,):

ΠΠ°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Hfe
Π‘945-Y120-240
Π‘945-O70-140
Π‘945-R90-180
Π‘945-Q135-270
Π‘945-P200-400
C945-K300-600
C945-G200-400
C945-GR200-400
C945-BL350-700
C945-L (SOT-23)120-200
C945-H (SOT-23)200-400

Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ fΠ³Ρ€ Ρƒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ сильно отличаСтся. НапримСр, Ρƒ Weitron Technology, минимальная граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° fΠ³Ρ€ ΠΌΠΈΠ½. (ft min) начинаСтся с 200 ΠœΠ“Ρ† (MHz), Π° Ρƒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… максимальная граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° fΠ³Ρ€ макс. (ft max) ΡƒΠΆΠ΅ 200 ΠœΠ“Ρ† (MHz).

Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Hfe смотритС Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π΅ производитСля, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ посмотрСв Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ находящиСся Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ транзистора. НапримСр Ρƒ c945O Electronic Manufacturer Hfe характСристика находится Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 70-140, Π° Ρƒ Π‘945R Stanson Technology ΠΎΡ‚ 90-180.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ, с прямой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (p-n-p), ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ 2SA733, 2SA1266.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°

Π‘945 ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΏΠΎ японскому стандарту JIS. Π­Ρ‚ΠΎ сокращСнная ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° транзистора 2sc945. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΡƒΠΆΠ΅ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° корпусС устройства символы β€œ2S”, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ согласно систСмС JIS всС транзисторы маркируСтся начиная с β€œ2S”. β€œSC” ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π’Π§-транзистор NPN-структуры (NPN HF transistor). Β«945Β» – сСрийный Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€.

Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈ российскиС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ C945

МоТно ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρƒ ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… транзисторов: KSC945, 2N2222, 2N3904, 2SC3198. 2SC1815, KSC1815, 2SC2002, 2SC3114, 2SC3331, 2SC3332 ΠΈΠ»ΠΈ 2SC2960. ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ отличаСтся ΠΎΡ‚ C945, поэтому ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Π΅Π΅1 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. МногиС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ российский Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ КВ3102. Однако Π±ΡƒΠ΄ΡŒΡ‚Π΅ остороТнСй с Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ PK макс (PC) этого Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π° Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 250 ΠΌΠ’Ρ‚, Π° fΠ³Ρ€ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 300 ΠœΠ“Ρ†.

Максимальная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот транзистор, составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 150 мА, Ρ‡Ρ‚ΠΎ достаточно для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… устройств Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρ€Π΅Π»Π΅, свСтодиодов ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСмСнтов схСмы. НапряТСниС насыщСния Uкэ.нас. составляСт всСго 0.3 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ удовлСтворяСт ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всС потрСбности. Как ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, C945 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ коэффициСнт усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° hFE ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°, благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ½ идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для использования Π² каскадах схСм прСдусилитСля, усилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ для усилСния Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… сигналов Π² элСктронных цСпях. НапряТСниС насыщСния Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° биполярных транзисторов составляСт 0,6 Π’, Π½ΠΎ Ρƒ нашСго Π‘945 Uкэ.нас. = 0,3 Π’, поэтому ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² цСпях Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ бСзопасно Π·Π°ΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ C945 Π² Π’Π°ΡˆΠ΅ΠΉ схСмС, Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ с напряТСниСм U КЭ макс Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 50 Π’ ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 150 мА. ΠŸΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ подходящий Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ уровня. НС допускайтС Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 150 ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ минус 60 Β°Π‘. Пайка Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² допускаСтся Π½Π΅ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ 5 ΠΌΠΌ ΠΎΡ‚ корпуса транзистора, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 3 сСкунд Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ + 260 Β°Π‘.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Daya Electric Group;
DCCOM (Dc Components);
Futurlec;
HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor);
KEXIN (Guangdong Kexin Industrial);
Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.);
Micro Electronics;
NEC;
Rectron Semiconductor;
SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH);
Stanson Technology;
TGS (Tiger Electronic);
UTC (Unisonic Technologies);
Weitron Technology;
Willas Electronic Corp;
Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Если ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΠΈΡΡŒ вопросы ΠΏΠΎ C945 ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, ΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ Π² коммСнтариях, постараСмся ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Вранзистор с945 отСчСствСнный Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³

C945 – биполярный, высокочастотный, ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ, n-p-n транзистор срСднСй рассСиваСмой мощности. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ коммСрчСских элСктронных схСмах. ΠŸΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… устройствах срСднСй ΠΈ высокой частоты.

Распиновка транзистора C945

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡΡ Π² корпусах Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ВО-92, SOT-23 ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°:

Π’ΠΈΠ΄ Π² корпусС ВО-92

Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945

Π£ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства другая Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° ВО-92. НапримСр, Ρƒ Kwang Myoung 1 – эммитСр, 2 – Π±Π°Π·Π°, 3 – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

Π’Π°ΠΊ выглядит Π² корпусС SOT-23

Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики

Π£ транзисторов сСрии C945 прСдставлСны Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды +25 Β°C,):

Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ fΠ³Ρ€ Ρƒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ сильно отличаСтся. НапримСр, Ρƒ Weitron Technology, минимальная граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° fΠ³Ρ€ ΠΌΠΈΠ½. (ft min) начинаСтся с 200 ΠœΠ“Ρ† (MHz), Π° Ρƒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… максимальная граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° fΠ³Ρ€ макс. (ft max) ΡƒΠΆΠ΅ 200 ΠœΠ“Ρ† (MHz).

Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Hfe смотритС Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π΅ производитСля, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ посмотрСв Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ находящиСся Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ транзистора. НапримСр Ρƒ c945O Electronic Manufacturer Hfe характСристика находится Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 70-140, Π° Ρƒ Π‘945R Stanson Technology ΠΎΡ‚ 90-180.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ, с прямой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (p-n-p), ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ 2SA733, 2SA1266.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°

Π‘945 ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΏΠΎ японскому стандарту JIS. Π­Ρ‚ΠΎ сокращСнная ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° транзистора 2sc945. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΡƒΠΆΠ΅ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° корпусС устройства символы β€œ2S”, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ согласно систСмС JIS всС транзисторы маркируСтся начиная с β€œ2S”. β€œSC” ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π’Π§-транзистор NPN-структуры (NPN HF transistor). Β«945Β» – сСрийный Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€.

Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945

Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈ российскиС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ C945

МоТно ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρƒ ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… транзисторов: KSC945, 2N2222, 2N3904, 2SC3198. 2SC1815, KSC1815, 2SC2002, 2SC3114, 2SC3331, 2SC3332 ΠΈΠ»ΠΈ 2SC2960. ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ отличаСтся ΠΎΡ‚ C945, поэтому ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Π΅Π΅1 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. МногиС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ российский Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ КВ3102. Однако Π±ΡƒΠ΄ΡŒΡ‚Π΅ остороТнСй с Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ PK макс (PC) этого Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π° Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 250 ΠΌΠ’Ρ‚, Π° fΠ³Ρ€ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 300 ΠœΠ“Ρ†.

Максимальная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот транзистор, составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 150 мА, Ρ‡Ρ‚ΠΎ достаточно для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… устройств Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρ€Π΅Π»Π΅, свСтодиодов ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСмСнтов схСмы. НапряТСниС насыщСния Uкэ.нас. составляСт всСго 0.3 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ удовлСтворяСт ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всС потрСбности. Как ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, C945 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ коэффициСнт усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° hFE ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°, благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ½ идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для использования Π² каскадах схСм прСдусилитСля, усилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ для усилСния Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… сигналов Π² элСктронных цСпях. НапряТСниС насыщСния Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° биполярных транзисторов составляСт 0,6 Π’, Π½ΠΎ Ρƒ нашСго Π‘945 Uкэ.нас. = 0,3 Π’, поэтому ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² цСпях Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ бСзопасно Π·Π°ΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ C945 Π² Π’Π°ΡˆΠ΅ΠΉ схСмС, Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ с напряТСниСм U КЭ макс Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 50 Π’ ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 150 мА. ΠŸΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ подходящий Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ уровня. НС допускайтС Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 150 ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ минус 60 Β°Π‘. Пайка Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² допускаСтся Π½Π΅ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ 5 ΠΌΠΌ ΠΎΡ‚ корпуса транзистора, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 3 сСкунд Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ + 260 Β°Π‘.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Daya Electric Group;
DCCOM (Dc Components);
Futurlec;
HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor);
KEXIN (Guangdong Kexin Industrial);
Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.);
Micro Electronics;
NEC;
Rectron Semiconductor;
SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH);
Stanson Technology;
TGS (Tiger Electronic);
UTC (Unisonic Technologies);
Weitron Technology;
Willas Electronic Corp;
Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Если ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΠΈΡΡŒ вопросы ΠΏΠΎ C945 ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, ΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ Π² коммСнтариях, постараСмся ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ.

C945 – биполярный, высокочастотный, ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ, n-p-n транзистор срСднСй рассСиваСмой мощности. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ коммСрчСских элСктронных схСмах. ΠŸΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… устройствах срСднСй ΠΈ высокой частоты.

Распиновка транзистора C945

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡΡ Π² корпусах Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ВО-92, SOT-23 ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°:

Π’ΠΈΠ΄ Π² корпусС ВО-92

Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945

Π£ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства другая Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° ВО-92. НапримСр, Ρƒ Kwang Myoung 1 – эммитСр, 2 – Π±Π°Π·Π°, 3 – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

Π’Π°ΠΊ выглядит Π² корпусС SOT-23

Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики

Π£ транзисторов сСрии C945 прСдставлСны Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды +25 Β°C,):

Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ fΠ³Ρ€ Ρƒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ сильно отличаСтся. НапримСр, Ρƒ Weitron Technology, минимальная граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° fΠ³Ρ€ ΠΌΠΈΠ½. (ft min) начинаСтся с 200 ΠœΠ“Ρ† (MHz), Π° Ρƒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… максимальная граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° fΠ³Ρ€ макс. (ft max) ΡƒΠΆΠ΅ 200 ΠœΠ“Ρ† (MHz).

Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Hfe смотритС Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π΅ производитСля, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ посмотрСв Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ находящиСся Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ транзистора. НапримСр Ρƒ c945O Electronic Manufacturer Hfe характСристика находится Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 70-140, Π° Ρƒ Π‘945R Stanson Technology ΠΎΡ‚ 90-180.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ, с прямой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (p-n-p), ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ 2SA733, 2SA1266.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°

Π‘945 ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΏΠΎ японскому стандарту JIS. Π­Ρ‚ΠΎ сокращСнная ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° транзистора 2sc945. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΡƒΠΆΠ΅ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° корпусС устройства символы β€œ2S”, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ согласно систСмС JIS всС транзисторы маркируСтся начиная с β€œ2S”. β€œSC” ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π’Π§-транзистор NPN-структуры (NPN HF transistor). Β«945Β» – сСрийный Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€.

Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945

Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈ российскиС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ C945

МоТно ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρƒ ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… транзисторов: KSC945, 2N2222, 2N3904, 2SC3198. 2SC1815, KSC1815, 2SC2002, 2SC3114, 2SC3331, 2SC3332 ΠΈΠ»ΠΈ 2SC2960. ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ отличаСтся ΠΎΡ‚ C945, поэтому ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Π΅Π΅1 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. МногиС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ российский Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ КВ3102. Однако Π±ΡƒΠ΄ΡŒΡ‚Π΅ остороТнСй с Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ PK макс (PC) этого Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π° Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 250 ΠΌΠ’Ρ‚, Π° fΠ³Ρ€ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 300 ΠœΠ“Ρ†.

Максимальная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот транзистор, составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 150 мА, Ρ‡Ρ‚ΠΎ достаточно для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… устройств Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Ρ€Π΅Π»Π΅, свСтодиодов ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСмСнтов схСмы. НапряТСниС насыщСния Uкэ.нас. составляСт всСго 0.3 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ удовлСтворяСт ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всС потрСбности. Как ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, C945 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ коэффициСнт усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° hFE ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°, благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ½ идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для использования Π² каскадах схСм прСдусилитСля, усилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ для усилСния Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… сигналов Π² элСктронных цСпях. НапряТСниС насыщСния Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° биполярных транзисторов составляСт 0,6 Π’, Π½ΠΎ Ρƒ нашСго Π‘945 Uкэ.нас. = 0,3 Π’, поэтому ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² цСпях Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ бСзопасно Π·Π°ΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ C945 Π² Π’Π°ΡˆΠ΅ΠΉ схСмС, Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ с напряТСниСм U КЭ макс Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 50 Π’ ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 150 мА. ΠŸΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ подходящий Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ уровня. НС допускайтС Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 150 ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ минус 60 Β°Π‘. Пайка Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² допускаСтся Π½Π΅ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ 5 ΠΌΠΌ ΠΎΡ‚ корпуса транзистора, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 3 сСкунд Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ + 260 Β°Π‘.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Daya Electric Group;
DCCOM (Dc Components);
Futurlec;
HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor);
KEXIN (Guangdong Kexin Industrial);
Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.);
Micro Electronics;
NEC;
Rectron Semiconductor;
SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH);
Stanson Technology;
TGS (Tiger Electronic);
UTC (Unisonic Technologies);
Weitron Technology;
Willas Electronic Corp;
Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Если ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΠΈΡΡŒ вопросы ΠΏΠΎ C945 ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, ΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ Π² коммСнтариях, постараСмся ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ.

Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор c945

Аналоги транзистор C945

TypeMatStructPcUcbUceUebIcTjFtCcHfeCaps
2DC2412RSiNPN0.3500.15180180SOT23
2SC1623RLT1SiNPN0.3605070.151501803180SOT23
2SC1623SLT1SiNPN0.3605070.151501803270SOT23
2SC2412-RSiNPN0.2605070.151501802180SOT23
2SC2412-SSiNPN0.2605070.151501802270SOT23
2SC2412KRLT1SiNPN0.2605070.151501802180SOT23
2SC2412KSLT1SiNPN0.2605070.151501802270SOT23
2SC945LT1SiNPN0.23605050.151501502.2200SOT23
2SD1501SiNPN1701150250SOT23
2STR1160SiNPN0.5606051150250SOT23
50C02CH-TL-ESiNPN0.7605050.51505002.8300SOT23
BRY61SiPNPN0.257070700.1751501000SOT23
BSP52T1SiNPN1.51008050.51501505000SOT23
BSP52T3SiNPN1.51008050.51501505000SOT23
C945SiNPN0.2605050.151501503130SOT23
DNLS160SiNPN0.3601150200SOT23
DTD123SiPre-Biased-NPN0.2500.5150200250SOT23
ECG2408SiNPN0.260650.3150300300SOT23
FMMT493ASiNPN0.5601150500SOT23
FMMTL619SiNPN0.5501.25180300SOT23
L2SC1623RLT1GSiNPN0.225605070.151502503180SOT23
L2SC1623SLT1GSiNPN0.225605070.151502503270SOT23
L2SC2412KRLT1GSiNPN0.2605070.151501802180SOT23
L2SC2412KSLT1GSiNPN0.2605070.151501802270SOT23
MMBT945-HSiNPN0.2605050.151501503200SOT23
MMBT945-LSiNPN0.2605050.151501503130SOT23
NSS60201LT1GSiNPN0.54604150SOT23
ZXTN19100CFFSiNPN1.51004.5150200SOT23F
ZXTN25050DFHSiNPN1.25504200240SOT23
ZXTN25100DFHSiNPN1.251002.5175300SOT23

Биполярный транзистор C945 β€” описаниС производитСля. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹. Π”Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Ρ‹

НаимСнованиС производитСля: C945

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *